#1 |
数量:2500 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
|
规格书 |
NVD5803N |
Rohs | Lead free / RoHS non-compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 85A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5.7 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 51nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3220pF @ 25V |
功率 - 最大 | 83W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3DPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 40 V |
最大连续漏极电流 | 85 A |
RDS -于 | 5.7@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 12.6 ns |
典型上升时间 | 21.4 ns |
典型关闭延迟时间 | 28.3 ns |
典型下降时间 | 6.6 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
包装宽度 | 6.22(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 83000 |
最大漏源电压 | 40 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 5.7@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | DPAK |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.73(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 2.38(Max) |
最大连续漏极电流 | 85 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 85A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 5.7 mOhm @ 50A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 83W |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3220pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 51nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS non-compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 85 A |
正向跨导 - 闵 | 13.6 S |
RDS(ON) | 5.7 mOhms |
功率耗散 | 83 W |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 40 V |
栅极电荷Qg | 51 nC |
工厂包装数量 | 2500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
Qg - Gate Charge | 51 nC |
零件号别名 | SVD5803NT4G |
品牌 | ON Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 85 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.7 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
系列 | NVD5803N |
Pd - Power Dissipation | 83 W |
技术 | Si |
NVD5803NT4G也可以通过以下分类找到
NVD5803NT4G相关搜索